CSD16401Q5
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CSD16401Q5

Texas Instruments
カテゴリ: MOSFET
概要: 25-V, N チャネル NexFET™ パワー MOSFET, 1回路 SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm 8-VSON-クリップ -55 to 150
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
CSD16401Q5 TI 91 PDF 見積
CSD16401Q5 TI 720 PDF 見積
CSD16401Q5 720 PDF 見積
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CSD16401Q5 TI 2253 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 25 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 1.5 V
6 mm
ターンオフ遅延時間 20 ns
ターンオン遅延時間 16.6 ns
最大動作温度 150 °C
ケース/パッケージ QFN
高さ 1.05 mm
長さ 5 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 12.7 ns
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 8
耐放射線 なし
立上り 時間 30 ns
連続ドレイン電流 (ID) 100 A
ドレインソース間降伏電圧 25 V
両電源電圧 25 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 16 V
最大消費電力 3.1 W
消費電力 3.1 W
厚さ 1 mm
閾値電圧 1.5 V
コンタクトめっき
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
終端 SMD/SMT
入力容量 4.1 nF