FDS6676S
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

FDS6676S

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: 小信号 電界効果トランジスタ, 14.5A I(D), 30V, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FDS6676S FAIRCHILD 2 50 PDF 見積
FDS6676S FAIRCHILD 530 5000 PDF 見積
FDS6676S FAIRCHILD` 530 4594 PDF 見積
FDS6676S FAIRCHILD 530 160 PDF 見積
FDS6676S FAIRCHILD 530 1257 PDF 見積
FDS6676S FAIRCHILD 612 2500 PDF 見積
FDS6676S FAIRCHILD 530 2500 PDF 見積
FDS6676S FAIRCHILD 2 50 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 82 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
立下り 時間 30 ns
発売日 2002-02-08
素子数 1
端子数 8
立上り 時間 10 ns
連続ドレイン電流 (ID) 14.5 A
ドレインソース間降伏電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 16 V
最大消費電力 2.5 W
消費電力 2.5 W
最終受注日 2007-02-28
最終納入日 2007-08-29
ドレインソース間抵抗 7.5 mΩ