FDU8580
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実際の製品とは
異なる場合があります。

FDU8580

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: 20V,35A,9 OHM, NCH パワー TRENCH MOSFET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FDU8580 FAIRCHILD 1G30SJ 5502 PDF 見積
FDU8580 FAIRCHILD - 1875 PDF 見積
FDU8580 FAIRCHILD 1G25SJ 11028 PDF 見積
FDU8580 FAIRCHILD 1G28SC 8700 PDF 見積
FDU8580 FAIRCHILD - 3146 PDF 見積
FDU8580 FAIRCHILD - 972 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 20 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 20 V
ターンオフ遅延時間 59 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ TO-251-3
素子構成 1回路
立下り 時間 34 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
立上り 時間 11 ns
連続ドレイン電流 (ID) 35 A
定格電流 35 A
ドレインソース間降伏電圧 20 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 49.5 W
消費電力 49.5 W
閾値電圧 1.8 V
ドレインソース間抵抗 9 mΩ
入力容量 1.445 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 9 mΩ