IRFB5615PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFB5615PBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: 150V 1回路 N-チャネル デジタル オーディオ HEXFET パワー MOSFET in a TO-220AB パッケージ, TO220-3, RoHS
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFB5615PBF IR 2010 20000 PDF 見積
IRFB5615PBF IR 1,243 635 PDF 見積
IRFB5615PBF IR 1320 787 PDF 見積
IRFB5615PBF 800 PDF 見積
IRFB5615PBF IR 9950 PDF 見積
IRFB5615PBF INFINEON 20 184 PDF 見積
IRFB5615PBF Infineon 22000 PDF 見積
IRFB5615PBF INFINEON 6000 PDF 見積
IRFB5615PBF INFINEON 2021 630 PDF 見積
IRFB5615PBF INFINEON 2023 1000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 150 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 3 V
4.826 mm
ターンオフ遅延時間 17.2 ns
ターンオン遅延時間 8.9 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 150 V
ケース/パッケージ TO-220AB
高さ 19.8 mm
長さ 10.668 mm
梱包数量 1000
素子構成 1回路
立下り 時間 13.2 ns
発売日 2021-04-28
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
回復 時間 120 ns
立上り 時間 23.1 ns
連続ドレイン電流 (ID) 35 A
ドレインソース間降伏電圧 150 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 144 W
消費電力 144 W
閾値電圧 3 V