IRFR5305
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFR5305

International Rectifier
カテゴリ: MOSFET
概要: -55V 1回路 P-チャネル HEXFET パワー MOSFET in a D-Pak パッケージ
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFR5305 I&R 9642 43 PDF 見積
IRFR5305 I&R - 11 PDF 見積
IRFR5305 I&R - 12 PDF 見積
IRFR5305 IR 344 80 PDF 見積
IRFR5305 I&R - 100 PDF 見積
IRFR5305 InternationalRectifier 6,286 65 PDF 見積
IRFR5305 InternationalRectifier 6,286 3 PDF 見積
IRFR5305 IR 462 PDF 見積
IRFR5305 I&R 9,642 43 PDF 見積
IRFR5305 I&R 11 PDF 見積
IRFR5305 I&R 12 PDF 見積
IRFR5305 IR 344 80 PDF 見積
IRFR5305 IR 51 PDF 見積
IRFR5305 INTERNATIONAL RECTIFIER 9 PDF 見積
IRFR5305 1878 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -55 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) -4 V
定格電圧 (DC) -55 V
ターンオフ遅延時間 39 ns
ターンオン遅延時間 14 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 55 V
ケース/パッケージ DPAK
立下り 時間 63 ns
発売日 1996-07-01
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
耐放射線 なし
立上り 時間 66 ns
連続ドレイン電流 (ID) 31 A
定格電流 -31 A
ドレインソース間降伏電圧 -55 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大デュアル電源電圧 55 V
最大消費電力 69 W
ドレインソース間抵抗 65 mΩ
入力容量 1.2 nF