NE334S01-T1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

NE334S01-T1

NEC
カテゴリ: MOSFET
概要: RF 小信号 電界効果トランジスタ, N-チャネル
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NE334S01-T1 NEC - 1000 PDF 見積
NE334S01-T1 NEC 4 2000 PDF 見積
NE334S01-T1 NEC 4 638 PDF 見積
NE334S01-T1 NEC ELECTRONICS 660 PDF 見積
NE334S01-T1 NEC 04+ 1 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 4 V
最低動作温度 -65 °C
最大動作温度 125 °C
最小降伏電圧 2.5 V
ケース/パッケージ SO
周波数 4 GHz
ゲイン 15 dB
発売日 1997-05-22
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 4
端子数 4
梱包形態 テープ&リール
連続ドレイン電流 (ID) 20 mA
ドレインソース間降伏電圧 4 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) -3 V
最大消費電力 300 mW
消費電力 300 mW
本体材質 セラミック