NVTR4502PT1G
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NVTR4502PT1G

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: 1回路 P-チャネル パワー MOSFET -30V, -1.95A, 200mΩ 車載 バージョン の the NTR4502P.
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 19 ns
ターンオン遅延時間 5.2 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SOT-23-3
素子構成 1回路
立下り 時間 17.5 ns
発売日 2005-03-01
鉛フリー 鉛フリー
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 12 ns
連続ドレイン電流 (ID) 1.13 A
ドレインソース間降伏電圧 -30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 1.25 W
消費電力 400 mW
スケジュールB 8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|85
ドレインソース間抵抗 200 mΩ
入力容量 200 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 200 mΩ
抵抗 200 MΩ