SI2309CDS-T1-GE3
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SI2309CDS-T1-GE3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: SI2309CDS シリーズ P-チャネル 60 V 0.345 Ohm パワー MOSFET 表面実装 - SOT-23-3
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY 2012 12000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY 1,230 1969 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 48193 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY 5280 PDF 見積
Si2309CDS-T1-GE3 Vishay 0 5280 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY 1304 2694 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 48193 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VishayIntertechno 900 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY 21 171633 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 24000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 90000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 45000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 24000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 6000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 96000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 24000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 48000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 27000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 48000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 12000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 48000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 12000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VIS 21000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 Infineon 45000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY 9000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay 117000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay 15000 PDF 見積
SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY 2023 3000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
1.4 mm
ターンオフ遅延時間 15 ns
ターンオン遅延時間 40 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ SOT-23-3
電流 12 A
高さ 1.02 mm
長さ 3.04 mm
電圧 60 V
素子構成 1回路
立下り 時間 35 ns
発売日 2008-10-30
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
立上り 時間 35 ns
重量 1.437803 g
連続ドレイン電流 (ID) 1.6 A
ドレインソース間降伏電圧 -60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 1.7 W
消費電力 1.7 W