SI4465DY-T1
※写真はイメージであり、
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異なる場合があります。

SI4465DY-T1

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 14A I(D), 8V, 0.009ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI4465DY-T1 SILICONIX - 1257 PDF 見積
SI4465DY-T1 VISHAY 351 1070 PDF 見積
SI4465DY-T1 SILICONIX - 5 PDF 見積
SI4465DYT1 sil dc01 2475 PDF 見積
SI4465DY-T1 VISHAY 10 PDF 見積
SI4465DY-T1 SILICONIX 1257 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -8 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 380 ns
ターンオン遅延時間 45 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 8 V
ケース/パッケージ SO
素子構成 1回路
立下り 時間 190 ns
発売日 2000-04-01
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 8
立上り 時間 55 ns
重量 186.993455 mg
連続ドレイン電流 (ID) 14 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 8 V
最大消費電力 2.5 W
消費電力 2.5 W
最終受注日 2006-07-30
最終納入日 2006-10-30
ドレインソース間抵抗 9 mΩ