SI4835BDY-T1-E3
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SI4835BDY-T1-E3

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 7.4A I(D), 1-素子, P-チャネル, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI4835BDYT1E3 115 PDF 見積
SI4835BDY-T1-E3 VISH 10 2119 PDF 見積
SI4835BDY-T1-E3 SILICONIX 2673 PDF 見積
SI4835BDY-T1-E3 VISHAY 10+ 1080 PDF 見積
SI4835BDY-T1-E3 2418 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
4 mm
ターンオフ遅延時間 60 ns
ターンオン遅延時間 15 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SOIC
高さ 1.55 mm
長さ 5 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 13 ns
発売日 2002-10-28
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 8
立上り 時間 13 ns
重量 186.993455 mg
連続ドレイン電流 (ID) 7.4 A
ドレインソース間降伏電圧 -30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 25 V
最大消費電力 2.5 W
消費電力 1.5 W
最終受注日 2008-12-17
最終納入日 2009-06-18
ドレインソース間抵抗 18 mΩ
最大オン抵抗 (Rds(on)) 18 mΩ