SI9926DY
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

SI9926DY

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
SI9926DY SILICONIX - 200 PDF 見積
SI9926DY SILICONIX 11 57 PDF 見積
SI9926DY FAIRCHILD 642 1940 PDF 見積
SI9926DY SILICONIX 200 PDF 見積
SI9926DY SILICONIX 11 57 PDF 見積
SI9926DY FAIRCHILD 2457 PDF 見積
SI9926DY SILICONIX 3192 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 18 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ SOIC N
立下り 時間 5 ns
発売日 2001-01-25
実装方式 表面実装
素子数 2
ピン数 8
端子数 8
立上り 時間 10 ns
連続ドレイン電流 (ID) 6.5 A
ドレインソース間降伏電圧 20 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 10 V
最大消費電力 2 W
最終受注日 2008-06-06
最終納入日 2008-12-06
ドレインソース間抵抗 30 mΩ