STD10NM50N
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

STD10NM50N

STMicroelectronics
カテゴリ: MOSFET
概要: MOSFET トランジスタ, N チャネル, 7 A, 500 V, 0.53 Ohm, 10 V, 3 V
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
STD10NM50N ST 285 PDF 見積
STD10NM50N ST 1630 PDF 見積
STD10NM50N 42500 PDF 見積
STD10NM50N ST 2006 285 PDF 見積
STD10NM50N ST 1630 PDF 見積
STD10NM50N 1700 PDF 見積
STD10NM50N ST 42500 PDF 見積
STD10NM50N ST 2447 PDF 見積
STD10NM50N STM 4000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 500 V
最低動作温度 -55 °C
6.2 mm
ターンオフ遅延時間 7.8 ns
ターンオン遅延時間 7.8 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 500 V
ケース/パッケージ DPAK
高さ 2.4 mm
長さ 6.6 mm
立下り 時間 12 ns
発売日 2009-12-16
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
梱包形態 Digi-Reel®
耐放射線 なし
立上り 時間 4.4 ns
連続ドレイン電流 (ID) 7 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 25 V
最大消費電力 70 W
消費電力 70 W
閾値電圧 3 V
ドレインソース間抵抗 630 mΩ
入力容量 450 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 630 mΩ
抵抗 630 mΩ