STP42N65M5
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異なる場合があります。

STP42N65M5

STMicroelectronics
カテゴリ: MOSFET
概要: N-チャネル 650 V, 0.070 Ohm, 33 A MDmesh(TM) V パワー MOSFET in TO-220
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
STP42N65M5 stm dc11 100 PDF 見積
STP42N65M5 ST 947 530 PDF 見積
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STP42N65M5 ST 1304 1695 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650 V
最低動作温度 -55 °C
4.6 mm
ターンオフ遅延時間 65 ns
ターンオン遅延時間 61 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 650 V
ケース/パッケージ TO-220
高さ 9.15 mm
長さ 10.4 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 13 ns
発売日 2009-01-20
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
耐放射線 なし
立上り 時間 24 ns
連続ドレイン電流 (ID) 33 A
ドレインソース間降伏電圧 650 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 25 V
最大消費電力 190 W
消費電力 190 W
閾値電圧 4 V
スケジュールB 8541290080
ドレインソース間抵抗 79 mΩ
入力容量 4.65 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 79 mΩ