2N7002MTF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

2N7002MTF

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: N-チャネル 小信号 MOSFET 小信号 電界効果トランジスタ, 0.115A I(D), 60V, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
2N7002MTF - 158 PDF 見積
2N7002MTF FSC 2010 474000 PDF 見積
2N7002MTF FAIRCH 2011 30000 PDF 見積
2N7002MTF FAIRCHILD 2012 47328 PDF 見積
2N7002MTF FSC 650 6000 PDF 見積
2N7002MTF FSC 650 3000 PDF 見積
2N7002MTF FSC 712 2938 PDF 見積
2N7002MTF 158 PDF 見積
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  • 入手困難品もスピード調達
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  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 2.5 V
定格電圧 (DC) 60 V
1.3 mm
ターンオフ遅延時間 20 ns
ターンオン遅延時間 20 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ SOT-23
高さ 1.11 mm
長さ 2.92 mm
素子構成 1回路
発売日 2002-03-18
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
連続ドレイン電流 (ID) 115 mA
定格電流 115 mA
ドレインソース間降伏電圧 60 V
両電源電圧 60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 200 mW
消費電力 200 mW