BSS159NH6327
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

BSS159NH6327

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: 小信号 電界効果トランジスタ, 0.23A I(D), 60V, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
BSS159NH6327 INF 3000 PDF 見積
BSS159NH6327 12000 PDF 見積
BSS159NH6327 102000 PDF 見積
BSS159N H6327 INFINEON 21 26594 PDF 見積
BSS159N H6327 Infineon 179541 PDF 見積
BSS159NH6327 Infineon 75017 PDF 見積
BSS159N H6327 INFINEON 9000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
発売日 2011-07-08
素子数 1
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
連続ドレイン電流 (ID) 230 mA
最大消費電力 360 mW
ドレインソース間抵抗 3.5 Ω