DMT3006LFV-13
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

DMT3006LFV-13

Diodes Inc.
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 60A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
DMT3006LFV-13 DIODES 6000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最低動作温度 -55 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
素子数 1
端子数 8
連続ドレイン電流 (ID) 60 A
最大消費電力 2 W
ドレインソース間抵抗 7 mΩ