DMTH8012LK3-13
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

DMTH8012LK3-13

Diodes Inc.
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 50A I(D), 80V, 0.016ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
DMTH8012LK3-13 DIODES 6000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 80 V
最低動作温度 -55 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 80 V
ケース/パッケージ TO-252-3
実装方式 表面実装
素子数 1
端子数 2
連続ドレイン電流 (ID) 50 A
最大消費電力 2.6 W
定格 AEC-Q101
ドレインソース間抵抗 16 mΩ
入力容量 1.949 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 16 mΩ