FDMC86116LZ
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

FDMC86116LZ

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: トランジスタ, MOSFET, N-チャネル, シールド ゲート, パワーTRENCH, 100V, 7.5A, 103MOHM
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FDMC86116LZ ON-SEMI(RoHS) 21 1370 PDF 見積
FDMC86116LZ ON 3000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
3.3 mm
ターンオフ遅延時間 10 ns
ターンオン遅延時間 4.5 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 100 V
高さ 800 µm
長さ 3.3 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 1.4 ns
発売日 2011-12-12
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 1.3 ns
重量 180 mg
連続ドレイン電流 (ID) 3.3 A
ドレインソース間降伏電圧 100 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 19 W
消費電力 2.3 W
コンタクトめっき
スケジュールB 8541290080