FDMS8027S
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

FDMS8027S

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: シングル N-チャネル 30 V 2.5 W 31 nC パワーTRENCH 表面実装 MOSFET - パワー 56-8
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FDMS8027S FAIRCHILD 18 30100 PDF 見積
FDMS8027S ON 1895 PDF 見積
FDMS8027S ONSEMI 2000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 1.5 V
6 mm
ターンオフ遅延時間 25 ns
ターンオン遅延時間 10 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
高さ 1.05 mm
長さ 5 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 6 ns
発売日 2010-07-27
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 2.3 ns
重量 74 mg
連続ドレイン電流 (ID) 18 A
ドレインソース間降伏電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 36 W
消費電力 36 W
コンタクトめっき
ドレインソース間抵抗 5 mΩ
入力容量 1.815 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 5 mΩ