FDMS8660AS
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異なる場合があります。

FDMS8660AS

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 28A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FDMS8660AS FAIRCHILD - 11 PDF 見積
FDMS8660AS FSC 1,106 1985 PDF 見積
FDMS8660AS FAIRCHILD 11 PDF 見積
FDMS8660AS FAIRCHILD 21 465 PDF 見積
FDMS8660AS FAIRCHILD 118 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 42 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
素子構成 1回路
立下り 時間 5 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
立上り 時間 8 ns
重量 68.1 mg
連続ドレイン電流 (ID) 28 A
ドレインソース間降伏電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 104 W
消費電力 2.5 W
ドレインソース間抵抗 2.1 mΩ
入力容量 5.865 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 2.1 mΩ
抵抗 2.1 MΩ