FDU8770
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実際の製品とは
異なる場合があります。

FDU8770

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 35A I(D), 25V, 0.0055ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-251AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
FDU8770 FAIRCHILD - 60 PDF 見積
FDU8770 FAIRCHILD 611 6156 PDF 見積
FDU8770 FAIRCHILD - 2149 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 25 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 25 V
ターンオフ遅延時間 49 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 25 V
ケース/パッケージ TO-251-3
素子構成 1回路
立下り 時間 25 ns
発売日 2006-04-12
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
立上り 時間 12 ns
連続ドレイン電流 (ID) 35 A
定格電流 35 A
ドレインソース間降伏電圧 25 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 115 W
消費電力 115 W
最終受注日 2010-06-03
最終納入日 2010-12-03
ドレインソース間抵抗 5.5 mΩ
入力容量 3.72 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 4 mΩ