IPD50P04P4-13
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IPD50P04P4-13

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 50A I(D), 40V, 0.0126ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IPD50P04P4-13 INFINEON(RoHS) 22 10 PDF 見積
IPD50P04P4-13 INFINEON(RoHS) 22 60 PDF 見積
IPD50P04P4-13 INFINEON(RoHS) 22 82 PDF 見積
IPD50P04P4-13 INFINEON(RoHS) 22 116 PDF 見積
IPD50P04P4-13 Infineon 50000 PDF 見積
IPD50P04P4-13 INFINEON 2023 2080 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 40 V
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
連続ドレイン電流 (ID) 50 A
最大消費電力 58 W
ドレインソース間抵抗 12.6 mΩ