IRF3717PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF3717PBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 20A I(D), 20V, 0.0044ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MS-012AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF3717PBF IR 1,119 4579 PDF 見積
IRF3717PBF IR 1119 4036 PDF 見積
IRF3717PBF 855 PDF 見積
IRF3717PBF IR 38095 PDF 見積
IRF3717PBF INFINEON/IR 1042/1048 300 PDF 見積
IRF3717PBF Infineon 300 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 20 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 2 V
定格電圧 (DC) 20 V
ターンオフ遅延時間 15 ns
ターンオン遅延時間 12 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ SOIC
高さ 1.75 mm
長さ 4.9784 mm
梱包数量 3800
素子構成 1回路
立下り 時間 6 ns
発売日 2004-02-20
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 8
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
回復 時間 32 ns
立上り 時間 14 ns
連続ドレイン電流 (ID) 20 A
定格電流 20 A
ドレインソース間降伏電圧 20 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V