IRF5802TRPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF5802TRPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 0.9A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MO-193AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF5802TRPBF IR 15000 PDF 見積
IRF5802TRPBF IR 15000 PDF 見積
IRF5802TRPBF IR 2010 3000 PDF 見積
IRF5802TRPBF IR 15000 PDF 見積
IRF5802TRPBF IR(RoHS) 12 2770 PDF 見積
IRF5802TRPBF Infineon Technology 1948 972 PDF 見積
IRF5802TRPBF Infineon Technology 1933 6000 PDF 見積
IRF5802TRPBF Infineon 30000 PDF 見積
IRF5802TRPBF INFINEON/IR 60000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 150 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 5.5 V
定格電圧 (DC) 150 V
1.4986 mm
ターンオフ遅延時間 7.5 ns
ターンオン遅延時間 6 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 150 V
ケース/パッケージ SOT-23-6
高さ 1.45 mm
長さ 2.9972 mm
梱包数量 3000
素子構成 1回路
立下り 時間 9.2 ns
発売日 2001-01-26
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 6
端子数 6
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 1.6 ns
連続ドレイン電流 (ID) 900 mA
定格電流 900 mA
ドレインソース間降伏電圧 150 V
両電源電圧 150 V