IRF6218STRLPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF6218STRLPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: HEXFET パワー SMPS MOSFET パワー 電界効果 トランジスタ, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF6218STRLPBF IR 1,101 1312 PDF 見積
IRF6218STRLPBF IR 800 PDF 見積
IRF6218STRLPBF IR 800 PDF 見積
IRF6218STRLPBF IR 1101 840 PDF 見積
IRF6218STRLPBF INFINEON 21 216 PDF 見積
IRF6218STRLPBF INFINEON 9000 PDF 見積
IRF6218STRLPBF INFINEON 2017 1 PDF 見積
IRF6218STRLPBF INFINEON 2014+ 15 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -150 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) -5 V
9.65 mm
ターンオフ遅延時間 35 ns
ターンオン遅延時間 21 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 150 V
ケース/パッケージ D2PAK
高さ 5.084 mm
長さ 10.668 mm
梱包数量 800
素子構成 1回路
立下り 時間 30 ns
発売日 2004-04-22
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
耐放射線 なし
立上り 時間 70 ns
連続ドレイン電流 (ID) 27 A
ドレインソース間降伏電圧 -150 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 250 W
消費電力 250 W
閾値電圧 -5 V