IRF7104
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF7104

International Rectifier
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 2.3A I(D), 20V, 0.25ohm, 2-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF7104 I&R 9833 210 PDF 見積
IRF7104 - 6 PDF 見積
IRF7104 - 12 PDF 見積
IRF7104 IR - 15 PDF 見積
IRF7104 IR - 36 PDF 見積
IRF7104 IR 840 2280 PDF 見積
IRF7104 IR 2,000 100 PDF 見積
IRF7104 InternationalRectifier 6,286 68 PDF 見積
IRF7104 IR 94 135 PDF 見積
IRF7104 IR 405 PDF 見積
IRF7104 I&R 9,833 210 PDF 見積
IRF7104 6 PDF 見積
IRF7104 12 PDF 見積
IRF7104 IR 15 PDF 見積
IRF7104 INTERNATIONAL RECTIFIER 25 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
定格電圧 (DC) -20 V
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
発売日 1994-05-01
鉛フリー 鉛含有
素子数 2
端子数 8
梱包形態 バルク
連続ドレイン電流 (ID) 2.3 A
定格電流 -2.3 A
ドレインソース間降伏電圧 -20 V
最大消費電力 2 W
消費電力 2 W
最終受注日 2012-12-28
最終納入日 2013-06-28
ドレインソース間抵抗 250 mΩ