IRF7204
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF7204

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF7204 IR 98 1096 PDF 見積
IRF7204 INTL REC 908 14 PDF 見積
IRF7204 IR - 34 PDF 見積
IRF7204 IR n/A 761 PDF 見積
IRF7204 9,509 100 PDF 見積
IRF7204 IR 98 1096 PDF 見積
IRF7204 INTLREC 908 14 PDF 見積
IRF7204 INTERNATIONALRECTIFIER 130 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 20 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -20 V
ターンオフ遅延時間 100 ns
ターンオン遅延時間 14 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ SOIC
立下り 時間 68 ns
発売日 1994-05-01
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 8
端子数 8
耐放射線 なし
立上り 時間 26 ns
連続ドレイン電流 (ID) 5.3 A
定格電流 -5.3 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 12 V
最大消費電力 2.5 W
出力電流 5.3 A
消費電力 2.5 W
ドレインソース間抵抗 60 mΩ
入力容量 860 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 60 mΩ