IRF7604
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF7604

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 3.6A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF7604 IR - 15 PDF 見積
IRF7604 IR - 11 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 20 V
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ SOIC
発売日 1996-02-01
素子数 1
端子数 8
連続ドレイン電流 (ID) 3.6 A
最大消費電力 450 mW
最終受注日 2012-07-27
最終納入日 2013-01-27
ドレインソース間抵抗 90 mΩ