IRF7828PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF7828PBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 13.6A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, MS-012AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF7828PBF I&R - 105 PDF 見積
IRF7828PBF 830 30 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 830 24 PDF 見積
IRF7828PBF I & R 830 15 PDF 見積
IRF7828PBF I & R 830 27 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 830 6 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 830 17 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 646 16 PDF 見積
IRF7828PBF INTRECTIFIER 833 475 PDF 見積
IRF7828PBF IR 1140 PDF 見積
IRF7828PBF IR 1140 PDF 見積
IRF7828PBF 665 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 105 PDF 見積
IRF7828PBF 830 30 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 830 24 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 830 15 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 830 27 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 830 6 PDF 見積
IRF7828PBF I&R 830 17 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
  • 元メーカー技術者が代替品を提案
  • 基本6ヶ月保証(返金・交換対応)
  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 1 V
定格電圧 (DC) 30 V
4.05 mm
ターンオフ遅延時間 9.7 ns
ターンオン遅延時間 6.3 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SOIC
高さ 1.75 mm
長さ 4.9784 mm
立下り 時間 7.3 ns
発売日 2002-12-05
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 8
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
立上り 時間 2.7 ns
列間隔 6.3 mm
連続ドレイン電流 (ID) 13.6 A
定格電流 13.6 A
ドレインソース間降伏電圧 30 V
両電源電圧 30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V