IRF9540NSTRR
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF9540NSTRR

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF9540NSTRR IR 814 800 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -100 V
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ TO-263-3
発売日 1996-08-05
鉛フリー 鉛含有
実装方式 表面実装
素子数 1
端子数 2
梱包形態 テープ&リール (TR)
立上り 時間 67 ns
連続ドレイン電流 (ID) 23 A
定格電流 -23 A
最大消費電力 140 W
消費電力 94 W
最終受注日 2008-03-13
最終納入日 2008-09-13
ドレインソース間抵抗 117 mΩ
入力容量 1.3 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 117 mΩ