IRFB4310PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFB4310PBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFB4310PBF IR 1,122 4157 PDF 見積
IRFB4310PBF IR 6550 PDF 見積
IRFB4310PBF IR 13000 PDF 見積
IRFB4310PBF IR 0 3050 PDF 見積
IRFB4310PBF IR 2012 7400 PDF 見積
IRFB4310PBF IR 284 PDF 見積
IRFB4310PBF IR 1122 4051 PDF 見積
IRFB4310PBF 7070 PDF 見積
IRFB4310PBF IR 31700 PDF 見積
IRFB4310PBF IR 21 8100 PDF 見積
IRFB4310PBF INF 249 PDF 見積
IRFB4310PBF IR 15000 PDF 見積
IRFB4310PBF ON 1000 PDF 見積
IRFB4310PBF INFINEON 5000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 4 V
定格電圧 (DC) 100 V
4.82 mm
ターンオフ遅延時間 68 ns
ターンオン遅延時間 26 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ TO-220AB
高さ 20.56 mm
長さ 10.6426 mm
梱包数量 1000
素子構成 1回路
立下り 時間 78 ns
発売日 2005-06-29
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
回復 時間 68 ns
立上り 時間 110 ns
連続ドレイン電流 (ID) 75 A
定格電流 140 A
ドレインソース間降伏電圧 100 V