IRFH5025TRPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFH5025TRPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: シングル N-チャネル 250 V 100 mΩ 37 nC HEXFET® パワーMOSFET - PQFN 5 x 6 mm
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFH5025TRPBF INFINEON(RoHS) 15 140 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 250 V
最低動作温度 -55 °C
5 mm
ターンオフ遅延時間 17 ns
ターンオン遅延時間 9 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 250 V
ケース/パッケージ VQFN
高さ 1.05 mm
長さ 5.9944 mm
梱包数量 4000
立下り 時間 6.1 ns
発売日 2010-07-15
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 6.3 ns
連続ドレイン電流 (ID) 3.8 A
ドレインソース間降伏電圧 250 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 8.3 W
消費電力 3.6 W
閾値電圧 5 V
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080