IRFH7545TRPBF
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実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFH7545TRPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: シングル N-チャネル 60 V 5.2 mΩ 73 nC HEXFET® パワーMOSFET - PQFN 5 x 6 mm
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
5.1 mm
ターンオフ遅延時間 43 ns
ターンオン遅延時間 8.6 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
高さ 1.17 mm
長さ 6.15 mm
梱包数量 4000
素子構成 1回路
立下り 時間 16 ns
発売日 2014-02-24
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
梱包形態 テープ&リール
立上り 時間 26 ns
連続ドレイン電流 (ID) 85 A
ドレインソース間降伏電圧 60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 83 W
消費電力 83 W
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 5.2 mΩ
入力容量 3.89 nF