IRFP150MPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFP150MPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-247AC
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFP150MPBF IR 10000 PDF 見積
IRFP150MPBF IR 2012 23000 PDF 見積
IRFP150MPBF IR 38000 PDF 見積
IRFP150MPBF IR 21 19100 PDF 見積
IRFP150MPBF IR 13765 PDF 見積
IRFP150MPBF INFINEON 300 PDF 見積
IRFP150MPBF INFINEON 10800 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 4 V
4.826 mm
ターンオフ遅延時間 45 ns
ターンオン遅延時間 11 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ TO-247-3
高さ 24.99 mm
長さ 16.129 mm
梱包数量 400
素子構成 1回路
立下り 時間 40 ns
発売日 2010-03-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
耐放射線 なし
立上り 時間 56 ns
連続ドレイン電流 (ID) 42 A
ドレインソース間降伏電圧 100 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 160 W
消費電力 160 W
閾値電圧 4 V