IRFP4668PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFP4668PBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: IRFP4668PBF N-チャネル MOSFET トランジスタ, 130 A, 200 V, 3-ピン TO-247AC
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFP4668PBF InternationalRectifier 6,286 4338 PDF 見積
IRFP4668PBF IR 1,241 950 PDF 見積
IRFP4668PBF IR 550 PDF 見積
IRFP4668PBF IR 525 PDF 見積
IRFP4668PBF IR 518 PDF 見積
IRFP4668PBF IR * 538 PDF 見積
IRFP4668PBF IR 2012 425 PDF 見積
IRFP4668PBF IR 4000 PDF 見積
IRFP4668PBF IR 21 6500 PDF 見積
IRFP4668PBF IR 20 2500 PDF 見積
IRFP4668PBF INFINEON 23+ 2685 PDF 見積
IRFP4668PBF INTERNATIONAL RECTIFIER . 46 PDF 見積
IRFP4668PBF Infineon 8000 PDF 見積
IRFP4668PBF INFINEON 5000 PDF 見積
IRFP4668PBF Infineon 108 PDF 見積
お問い合わせ
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  • 入手困難品もスピード調達
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 200 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 5 V
5.3086 mm
ターンオフ遅延時間 64 ns
ターンオン遅延時間 41 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 200 V
ケース/パッケージ TO-247-3
高さ 24.99 mm
長さ 15.87 mm
梱包数量 400
素子構成 1回路
立下り 時間 74 ns
発売日 2008-09-08
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
耐放射線 なし
立上り 時間 105 ns
連続ドレイン電流 (ID) 130 A
ドレインソース間降伏電圧 200 V
両電源電圧 200 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 30 V
最大消費電力 520 W
消費電力 520 W