IRFR2405PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFR2405PBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-252AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFR2405PBF ir dc07 986 PDF 見積
IRFR2405PBF IR 1,142 1611 PDF 見積
IRFR2405PBF IR 822 PDF 見積
IRFR2405PBF IR 675 PDF 見積
IRFR2405PBF IR 2011 675 PDF 見積
IRFR2405PBF IR 502 PDF 見積
IRFR2405PBF IR 1250 1765 PDF 見積
IRFR2405PBF IR 675 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 55 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 4 V
定格電圧 (DC) 55 V
6.22 mm
ターンオフ遅延時間 55 ns
ターンオン遅延時間 15 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 55 V
ケース/パッケージ DPAK
高さ 2.3876 mm
長さ 6.7056 mm
梱包数量 3000
素子構成 1回路
立下り 時間 78 ns
発売日 2000-03-02
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
耐放射線 なし
回復 時間 93 ns
立上り 時間 130 ns
連続ドレイン電流 (ID) 30 A
定格電流 56 A
ドレインソース間降伏電圧 55 V
両電源電圧 55 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V