IRFS3006TRL7PP
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRFS3006TRL7PP

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 240A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-263
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFS3006TRL7PP INFINEON 21 2500 PDF 見積
IRFS3006TRL7PP Infineon 500 PDF 見積
IRFS3006TRL7PP INFINEON 60000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 60 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 118 ns
ターンオン遅延時間 14 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ TO-263-7
高さ 5.084 mm
梱包数量 800
立下り 時間 69 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 7
端子数 6
耐放射線 なし
立上り 時間 61 ns
連続ドレイン電流 (ID) 240 A
ドレインソース間降伏電圧 60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 375 W
消費電力 375 W
スケジュールB 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
ドレインソース間抵抗 2.1 mΩ
入力容量 8.85 nF
オン抵抗 (RDS(on)) 2.1 mΩ
最大オン抵抗 (Rds(on)) 2.1 mΩ
抵抗 2.1 MΩ