IRL3715ZSPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRL3715ZSPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: ヘキサFET 電源 MOSFET 電源 電界効果トランジスタ, 50A I(D), 20V, 0.011ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRL3715ZSPBF IR 831 708 PDF 見積
IRL3715ZSPBF IR 831 707 PDF 見積
IRL3715ZSPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 375 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 20 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 20 V
9.65 mm
ターンオフ遅延時間 11 ns
ターンオン遅延時間 7.1 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ D2PAK
高さ 4.699 mm
長さ 10.668 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 4.6 ns
発売日 2003-10-07
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
回復 時間 14 ns
立上り 時間 44 ns
連続ドレイン電流 (ID) 50 A
定格電流 50 A
ドレインソース間降伏電圧 20 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 45 W
消費電力 45 W
閾値電圧 2.1 V