IRLH5030TRPBF
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IRLH5030TRPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: シングル N-チャネル 100 V 9.9 mΩ 44 nC HEXFET® パワーMOSFET - PQFN 5 x 6 mm
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 2.5 V
5.15 mm
ターンオフ遅延時間 41 ns
ターンオン遅延時間 21 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ QFN
高さ 990.6 µm
長さ 6.1468 mm
梱包数量 4000
立下り 時間 41 ns
発売日 2010-02-08
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 8
端子数 5
梱包形態 テープ&リール
耐放射線 なし
立上り 時間 72 ns
連続ドレイン電流 (ID) 13 A
ドレインソース間降伏電圧 100 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 16 V
最大消費電力 156 W
消費電力 3.6 W
閾値電圧 2.5 V