IRLML5103TRPBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRLML5103TRPBF

Infineon
カテゴリ: MOSFET
概要: HEXFET パワーMOSFET 小信号電界効果トランジスタ, 0.76A I(D), 30V, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-236AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRLML5103TRPBF IR 2012 300000 PDF 見積
IRLML5103TRPBF ir dc0713 2975 PDF 見積
IRLML5103TRPBF InternationalRectifier 6,286 246 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 1,240 170001 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 27000 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 36273 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 22287 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 27000 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 618 3000 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 32268 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 1315 151120 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 38658 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 2007 27000 PDF 見積
IRLML5103TRPBF 200994 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 24000 PDF 見積
IRLML5103TRPBF INFINEON 19 20100 PDF 見積
IRLML5103TRPBF INFINEON 2451 PDF 見積
IRLML5103TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 151 PDF 見積
IRLML5103TRPBF IR 2125+ 3000 PDF 見積
IRLML5103TRPBF INFINEON 15000 PDF 見積
IRLML5103TRPBF INFINEON 2023 6000 PDF 見積
お問い合わせ
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FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
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  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -30 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) -1 V
定格電圧 (DC) -30 V
1.397 mm
ターンオフ遅延時間 23 ns
ターンオン遅延時間 10 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SOT-23
高さ 1.016 mm
長さ 3.0226 mm
メーカーパッケージ識別子 Micro(SOT23)
梱包数量 3000
素子構成 1回路
立下り 時間 16 ns
発売日 1995-07-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール
立上り 時間 8.2 ns
連続ドレイン電流 (ID) 540 mA
定格電流 -610 mA
ドレインソース間降伏電圧 -30 V
両電源電圧 -30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V