MRF6V2300NBR1
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

MRF6V2300NBR1

NXP Semiconductors
カテゴリ: MOSFET
概要: RF パワー電界効果トランジスタ, 1-素子, Ultra ハイ 周波数 Band, シリコン, N-チャネル, 金属酸化膜半導体FET, TO-272
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 110 V
最大出力電力 300 W
最低動作温度 -65 °C
最大接合温度 (Tj) 225 °C
最大動作温度 225 °C
最小降伏電圧 110 V
高さ 2.64 mm
周波数 220 MHz
ゲイン 24 dB
発売日 2007-02-26
最大周波数 600 MHz
実装方式 ねじ, 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
端子数 4
梱包形態 テープ&リール
重量 1.911098 g
連続ドレイン電流 (ID) 2.5 mA
ドレインソース間降伏電圧 110 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 10 V
出力電力 300 W
試験電流 900 mA
試験電圧 50 V
閾値電圧 1.63 V
電圧定格 110 V
コンタクトめっき
最終受注日 2018-10-13
最終納入日 2019-04-13