NDC652P
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

NDC652P

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: 小信号 電界効果トランジスタ, 2.4A I(D), 30V, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NDC652P FAIRCHILD 9949 4469 PDF 見積
NDC652P - 20 PDF 見積
NDC652P - 10 PDF 見積
NDC652P 98 2645 PDF 見積
NDC652P FAIRCHILD 9908 1659 PDF 見積
NDC652P FSC 2006 2250 PDF 見積
NDC652P FAIRCHILD 20 PDF 見積
NDC652P fsc dc06 2280 PDF 見積
NDC652P FAIR 6 3000 PDF 見積
NDC652P FAIR 3 3000 PDF 見積
NDC652P FAIRCHILD 9,949 4469 PDF 見積
NDC652P 20 PDF 見積
NDC652P 10 PDF 見積
NDC652P 98 2645 PDF 見積
NDC652P FAIRCHILD 9,908 1659 PDF 見積
NDC652P FAIRCHILD 21 33925 PDF 見積
NDC652P FAIRCHILD 1095 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -30 V
ターンオフ遅延時間 22 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SOT-23-6
立下り 時間 26 ns
発売日 1996-03-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 6
端子数 6
梱包形態 カットテープ
立上り 時間 26 ns
連続ドレイン電流 (ID) 2.4 A
定格電流 -2.4 A
ドレインソース間降伏電圧 -30 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) -20 V
最大消費電力 1.6 W
消費電力 1.6 W
最終受注日 2008-12-02
最終納入日 2009-06-02
ドレインソース間抵抗 110 mΩ
入力容量 290 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 110 mΩ