NDT456P
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

NDT456P

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: トランジスタ MOSFET P-チャネル 30V 7.5A 3W (Ta) 表面実装 SOT-223-4
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NDT456P FAIRCHILD 2007 2648 PDF 見積
NDT456P FSC 2,002 37 PDF 見積
NDT456P FairchildSemiconductor 4,956 151 PDF 見積
NDT456P FairchildSemiconductor 4,956 72 PDF 見積
NDT456P FAI 18640 PDF 見積
NDT456P FAIRCHILDSEMICONDUCTOR 3 2007 PDF 見積
NDT456P Fair 3 1180 PDF 見積
NDT456P Fair 3 1180 PDF 見積
NDT456P 18640 PDF 見積
NDT456P+ FairchildSemi 1670 PDF 見積
NDT456P FAIRCHILD 2897 PDF 見積
NDT456P ON SEMICONDUCTOR 73 PDF 見積
NDT456P 74 PDF 見積
NDT456P Fairchild Semiconductor 9913 58 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -30 V
最低動作温度 -65 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 1.5 V
定格電圧 (DC) -30 V
6.7 mm
ターンオフ遅延時間 70 ns
ターンオン遅延時間 10 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SOT-223
高さ 1.8 mm
長さ 6.7 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 70 ns
発売日 1996-07-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 4
端子数 4
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
立上り 時間 65 ns
重量 250.2 mg
連続ドレイン電流 (ID) 7.5 A
定格電流 -7.3 A
ドレインソース間降伏電圧 -30 V
両電源電圧 30 V