NID9N05CLT4G
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

NID9N05CLT4G

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー MOSFET 9.0 A, 52 V, N-チャネル, ロジック レベル, Clamped MOSFET 付きESD 保護
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
NID9N05CLT4G ONS 2500 PDF 見積
NID9N05CLT4G 5000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 52 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 1.75 V
定格電圧 (DC) 52 V
ターンオフ遅延時間 2.5 µs
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 52 V
ケース/パッケージ DPAK
出力数 1
素子構成 1回路
立下り 時間 1.8 µs
インターフェース オン/オフ
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 3
端子数 2
耐放射線 なし
立上り 時間 500 ns
クランプ電圧 59 V
連続ドレイン電流 (ID) 9 A
定格電流 9 A
ドレインソース間降伏電圧 52 V
両電源電圧 52 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 15 V
最大出力電流 9 A
最大消費電力 28.8 W
消費電力 28.8 W
閾値電圧 1.75 V
コンタクトめっき