RFP14N05L
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

RFP14N05L

onsemi
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
RFP14N05L har dc95 155 PDF 見積
RFP14N05L INT 1 4000 PDF 見積
RFP14N05L FSC (Fairchild) 01 23 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 50 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) 50 V
ターンオフ遅延時間 42 ns
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 50 V
ケース/パッケージ TO-220AB
素子構成 1回路
立下り 時間 16 ns
発売日 2000-03-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
立上り 時間 24 ns
連続ドレイン電流 (ID) 14 A
定格電流 14 A
ドレインソース間降伏電圧 50 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 10 V
最大消費電力 48 W
消費電力 48 W
最終受注日 2009-03-09
最終納入日 2009-09-09
ドレインソース間抵抗 100 mΩ
入力容量 670 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 100 mΩ