RRL035P03TR
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

RRL035P03TR

ROHM
カテゴリ: MOSFET
概要: 小信号 電界効果トランジスタ, 3.5A I(D), 30V, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
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RRL035P03TR ROHM 200 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 30 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 75 ns
ターンオン遅延時間 7 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 30 V
ケース/パッケージ SMD/SMT
立下り 時間 40 ns
発売日 2010-05-17
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
素子数 1
ピン数 6
端子数 6
梱包形態 カットテープ (CT)
耐放射線 なし
立上り 時間 9 ns
連続ドレイン電流 (ID) 3.5 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 1 W
ドレインソース間抵抗 50 mΩ
入力容量 800 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 50 mΩ