RUM001L02T2CL
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

RUM001L02T2CL

ROHM
カテゴリ: MOSFET
概要: 小信号 電界効果トランジスタ, 0.1A I(D), 20V, 1-素子, N-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
RUM001L02T2CL ROHM 21 80100 PDF 見積
RUM001L02T2CL ROHM 60000 PDF 見積
RUM001L02T2CL Rohm 678 PDF 見積
RUM001L02T2CL ROHM 3711 PDF 見積
RUM001L02T2CL ROHM 2022 14913 PDF 見積
RUM001L02T2CL ROHM 2022 39837 PDF 見積
RUM001L02T2CL ROHM 2022 40000 PDF 見積
RUM001L02T2CL ROHM 2022 48000 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 20 V
最低動作温度 -55 °C
ターンオフ遅延時間 20 ns
ターンオン遅延時間 5 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 20 V
ケース/パッケージ SOT-723
高さ 550 µm
立下り 時間 38 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 テープ&リール (TR)
立上り 時間 4 ns
連続ドレイン電流 (ID) 100 mA
ドレインソース間降伏電圧 20 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 8 V
最大消費電力 150 mW
消費電力 150 mW
コンタクトめっき
ドレインソース間抵抗 4.2 Ω
入力容量 7.1 pF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 3.5 Ω