STF26NM60N
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

STF26NM60N

STMicroelectronics
カテゴリ: MOSFET
概要: STF26NM60N N-チャネル MOSFET トランジスタ, 20 A, 600 V, 3-ピン TO-220FP
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
STF26NM60N STM 650 PDF 見積
STF26NM60N 1450 PDF 見積
STF26NM60N 74000 PDF 見積
STF26NM60N ST 21 10128 PDF 見積
STF26NM60N ST 20 38100 PDF 見積
STF26NM60N ST 90000 PDF 見積
STF26NM60N STM 692 PDF 見積
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 600 V
最低動作温度 -55 °C
公称ゲート-ソース間電圧 (Vgs) 3 V
4.6 mm
ターンオフ遅延時間 85 ns
ターンオン遅延時間 13 ns
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 600 V
ケース/パッケージ TO-220-3
高さ 16.4 mm
長さ 10.4 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 50 ns
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
耐放射線 なし
立上り 時間 25 ns
連続ドレイン電流 (ID) 20 A
ゲートソース間電圧 (Vgs) 25 V
最大消費電力 30 W
ドレインソース間抵抗 165 mΩ
入力容量 1.8 nF
最大オン抵抗 (Rds(on)) 165 mΩ