IRF9530PBF
※写真はイメージであり、
実際の製品とは
異なる場合があります。

IRF9530PBF

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー MOSFET パワー電界効果トランジスタ, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-220AB
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRF9530PBF VISH 2,008 57 PDF 見積
IRF9530PBF VISH/IR 27200 PDF 見積
IRF9530PBF STM 635 10 PDF 見積
IRF9530PBF VISHAY 27400 PDF 見積
IRF9530PBF VISH/IR 11+/12+ 24700 PDF 見積
IRF9530PBF IR/VISH 1151 2490 PDF 見積
IRF9530PBF VISHAY 27400 PDF 見積
IRF9530PBF VISHAY 20+21+ 5100 PDF 見積
IRF9530PBF VISHAY 21 500 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 6000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 2000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 1000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 4000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 6000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 6000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 6000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 6000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 6000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 1000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 5000 PDF 見積
IRF9530PBF VIS 6000 PDF 見積
IRF9530PBF 450 PDF 見積
IRF9530PBF VISHAY 30000 PDF 見積
IRF9530PBF VISHAY 2023 1000 PDF 見積
お問い合わせ
主な取引先
FORESKYが選ばれる理由
  • 入手困難品もスピード調達
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  • 部品表の全品目を一括で調達代行
製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -100 V
最低動作温度 -55 °C
定格電圧 (DC) -100 V
4.7 mm
ターンオフ遅延時間 31 ns
ターンオン遅延時間 12 ns
最大接合温度 (Tj) 175 °C
最大動作温度 175 °C
最小降伏電圧 100 V
ケース/パッケージ TO-220AB
高さ 19.89 mm
長さ 10.41 mm
素子構成 1回路
立下り 時間 39 ns
発売日 1997-07-10
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 スルーホール
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 3
端子数 3
梱包形態 バルク
耐放射線 なし
回復 時間 240 ns
立上り 時間 52 ns
重量 6.000006 g
連続ドレイン電流 (ID) 12 A
定格電流 -12 A
ドレインソース間降伏電圧 -100 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V