IRFL9014TRPBF
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IRFL9014TRPBF

Vishay
カテゴリ: MOSFET
概要: パワー電界効果トランジスタ, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-素子, P-チャネル, シリコン, 金属酸化膜半導体FET, TO-261AA
市場在庫情報 ※リアルタイム更新ではないので売切れの場合もございます。
型番 メーカー DC 数量 データシート 希望数 見積
IRFL9014TRPBF VISHAY/IR 737 1313 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISHAY 8 9752 PDF 見積
IRFL9014TRPBF IR/VISH 1,237 7199 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISH/IR 92000 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISH/IR 12068 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VIS 23849 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISHAY 10000 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISH/IR 12+/13+ 20000 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISH/IR 6674 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISH/IR 87000 PDF 見積
IRFL9014TRPBF IR/VISH 1229 7855 PDF 見積
IRFL9014TRPBF 23849 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISHAY 10000 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISHAY 21 48980 PDF 見積
IRFL9014TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 59 PDF 見積
IRFL9014TRPBF SILICONIX 265 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISHAY(RoHS) 14 550 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISHAY(RoHS) 14 1137 PDF 見積
IRFL9014TRPBF International Rectifier (IR) 1584 PDF 見積
IRFL9014TRPBF Vishay 1944 PDF 見積
IRFL9014TRPBF 10000 PDF 見積
IRFL9014TRPBF IR 2500 PDF 見積
IRFL9014TRPBF Vishay 10000 PDF 見積
IRFL9014TRPBF VISHAY 2023 2500 PDF 見積
お問い合わせ
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FORESKYが選ばれる理由
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製品仕様 製品仕様については参考情報として提供しております。
正式な情報につきましては、メーカー発行のデータシートなどをご参照ください。
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) -60 V
最低動作温度 -55 °C
3.7 mm
ターンオフ遅延時間 9.6 ns
ターンオン遅延時間 11 ns
最大接合温度 (Tj) 150 °C
最大動作温度 150 °C
最小降伏電圧 60 V
ケース/パッケージ SOT-223
高さ 1.8 mm
長さ 6.7 mm
立下り 時間 31 ns
発売日 1993-09-01
鉛フリー 鉛フリー
実装方式 表面実装
チャネル数 1
素子数 1
ピン数 4
端子数 4
梱包形態 カットテープ
耐放射線 なし
立上り 時間 63 ns
重量 250.212891 mg
連続ドレイン電流 (ID) 1.8 A
ドレインソース間降伏電圧 -60 V
ゲートソース間電圧 (Vgs) 20 V
最大消費電力 3.1 W
消費電力 2 W
閾値電圧 -2 V
最終受注日 2008-06-30